IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQDH35N03LM5SCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQDH88N06LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQDH35N03LM5SCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| প্যাকেজ | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C (TJ) |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| পাওয়ার ডিসিপেশন (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| পিন সংখ্যা | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |