IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQDH35N03LM5SCATMA1 מאת Infineon ו IQDH88N06LM5CGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQDH35N03LM5SCATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| מארז | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C | -55°C to +175°C (TJ) |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| זרם ניקוז רציף (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| פיזור הספק (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| מספר פינים | — | 9 (with exposed pad) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |