IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH35N03LM5SCATMA1 tarafından Infineon ve IQDH88N06LM5CGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Paket PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55°C to +175°C (TJ)
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (Ta=25°C) — 42 A
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — 447 A
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V — 0.86 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 3 W
Güç Tüketimi (TC=25°C) — 333 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge Qg typical — [DATA_NEEDED: Qg typical nC]
Pin Sayısı — 9 (with exposed pad)
Cooling — Dual-side cooling capable
Polarity — N-Channel
Configuration — Single

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin