IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE012N03LM5CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE013N04LM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE012N03LM5CGATMA1 | IQE013N04LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 34 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 224 A | — |
| On-Resistance RDS(on), typ | 1.20 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | 107 W |
| Technology / Process | OptiMOS 5 trench | — |
| প্যাকেজ | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | — |
| Technology | — | OptiMOS N-channel trench MOSFET |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 205 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typ) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +175 °C |
| Source-Down Topology | — | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) |