IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE012N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE013N04LM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE012N03LM5CGATMA1 | IQE013N04LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 34 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 224 A | — |
| On-Resistance RDS(on), typ | 1.20 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | 107 W |
| Technology / Process | OptiMOS 5 trench | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | — |
| Technology | — | OptiMOS N-channel trench MOSFET |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 205 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typ) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C |
| Source-Down Topology | — | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) |