IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE012N03LM5CGATMA1 द्वारा Infineon और IQE013N04LM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE012N03LM5CGATMA1 | IQE013N04LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 34 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 224 A | — |
| On-Resistance RDS(on), typ | 1.20 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | 107 W |
| Technology / Process | OptiMOS 5 trench | — |
| पैकेज | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Technology | — | OptiMOS N-channel trench MOSFET |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 205 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typ) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C |
| Source-Down Topology | — | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) |