IQE020N04LM6CGATMA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE020N04LM6CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISK057N04LM6ATSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IQE020N04LM6CGATMA1 ISK057N04LM6ATSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 166 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 107 W —
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
প্যাকেজ PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C -55C to +150C
Technology OptiMOS 6, TrenchFET-class OptiMOS 6 Trench
Configuration Single N-Channel, source-down —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 64 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 39.1 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 8.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.3 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 12 nC
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF
Output Capacitance (Coss) — 290 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট