IQE020N04LM6CGATMA1 vs ISK057N04LM6ATSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE020N04LM6CGATMA1 tarafından Infineon ve ISK057N04LM6ATSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ Aktif
Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE020N04LM6CGATMA1 ISK057N04LM6ATSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 166 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 107 W —
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Paket PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55C to +150C
Technology OptiMOS 6, TrenchFET-class OptiMOS 6 Trench
Configuration Single N-Channel, source-down —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 64 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 39.1 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 8.3 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.3 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 12 nC
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF
Output Capacitance (Coss) — 290 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 21 pF

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin