IQE036N08NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE036N08NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN08S7L033ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IQE036N08NM6ATMA1 IQE036N08NM6ATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-MOSFET, 3.6mΩ | Infineon

IQE036N08NM6ATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-MOSFET, 3.6mΩ | Infineon

IQE036N08NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IQE036N08NM6ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16.7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typical 3.6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 125 W —
প্যাকেজ PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C (junction, per datasheet) -55°C to +175°C (TJ)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse, per datasheet) —
Series — Automotive OptiMOS 7
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট