IQE036N08NM6ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE036N08NM6ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IQE036N08NM6ATMA1 IQE036N08NM6ATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-MOSFET, 3.6mΩ | Infineon

IQE036N08NM6ATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-MOSFET, 3.6mΩ | Infineon

IQE036N08NM6ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 - 80V 3.3mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L033ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IQE036N08NM6ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16.7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typical 3.6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 125 W —
पैकेज PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C (junction, per datasheet) -55°C to +175°C (TJ)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse, per datasheet) —
Series — Automotive OptiMOS 7
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Qualification — Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET

डेटाशीट और संसाधन

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