IRF530NSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF530NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF540NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF530NSTRLPBF | IRF540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 17 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 90 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 24.7 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 70 W | 130 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3.8 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Package Type | D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Planar Stripe Cell) | HEXFET (IR MOSFET) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| Qualification Market | Industrial | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 110 A (per datasheet pulse curve) |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | — | 44 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 47.3 nC (typical) |
| প্যাকেজ | — | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant (Pb-free) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized) |