IRF530NSTRLPBF vs IRF540NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF530NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF540NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF530NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 17 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 90 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 24.7 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 70 W 130 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 3.8 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar Stripe Cell) HEXFET (IR MOSFET)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant —
Qualification Market Industrial —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
پیکیج — D2PAK (TO-263), surface mount
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Pb-free)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں