IRF540NSTRLPBF vs IRF520NPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF540NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF520NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF520NPBF IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF - 100V 9.7A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF520NPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF540NSTRLPBF IRF520NPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (vertical DMOS)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C -55C to +175C
প্যাকেজ D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free)
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
MSL লেভেল — 1 (unlimited)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট