IRF540NSTRLPBF vs IRF520NPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF540NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRF520NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF540NSTRLPBF | IRF520NPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (vertical DMOS) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Paket | D2PAK (TO-263), surface mount | TO-220AB (through-hole) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Through Hole |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free) | Compliant (Pb-free) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | HEXFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 9.7 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 200 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 48 W |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |