IRF540NSTRLPBF vs IRF520NPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF540NSTRLPBF מאת Infineon ו IRF520NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF540NSTRLPBF | IRF520NPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (vertical DMOS) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| מארז | D2PAK (TO-263), surface mount | TO-220AB (through-hole) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant (Pb-free) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | HEXFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 9.7 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 200 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 48 W |
| רמת MSL | — | 1 (unlimited) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |