IRF540NSTRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF540NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFZ44NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRF540NSTRLPBF IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF - 100V 33A N-Channel MOSFET D2PAK | Infineon

IRF540NSTRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFZ44NSTRLPBF - 55V 49A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRFZ44NSTRLPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRF540NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C -55C to +175C
প্যাকেজ D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Pb-free) Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট