IRF540NSTRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF540NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFZ44NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF540NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55C to +175C
پیکیج D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں