IRF540NSTRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF540NSTRLPBF מאת Infineon ו IRFZ44NSTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF540NSTRLPBF | IRFZ44NSTRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| מארז | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 49 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 17.5 mOhm at VGS=10V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 42 nC |
| Power Dissipation (TC) | — | 94 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |