IRF640NPBF vs IRLR2905TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF640NPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLR2905TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF640NPBF | IRLR2905TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | 110 W |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55C to +150C | -55C to +175C |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel Enhancement Mode | — |
| প্যাকেজ | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 42 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 27 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |