IRF640NPBF vs IRLR2905TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF640NPBF بذریعہ Infineon اور IRLR2905TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF640NPBF | IRLR2905TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | 110 W |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | -55C to +175C |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel Enhancement Mode | — |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 42 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 27 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |