IRF640NPBF vs IRLR2905TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF640NPBF bằng Infineon và IRLR2905TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF640NPBF | IRLR2905TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | 110 W |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +150C | -55C to +175C |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| Kiểu transitor | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Hộp | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 42 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 27 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |