IRF9952TRPBF vs IRF7907TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF9952TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF7907TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF9952TRPBF | IRF7907TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity / Configuration | Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array | — |
| N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) | 30 V | — |
| P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) | -30 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 3.5 A | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A | — |
| N-Channel R_DS(on) max | 0.10 ohm (at VGS = 10 V) | — |
| P-Channel R_DS(on) max | 0.25 ohm (at VGS = -10 V) | — |
| Total Package Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Technology | IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET | IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) |
| প্যাকেজ | 8-pin SOIC (SO-8), surface mount | 8-SOIC (SO-8) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix) | Compliant |
| Tape and Reel Packaging | Yes (TRPBF suffix) | — |
| Qualification | Consumer market | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 9.1 A per channel at 25 C |
| Pulsed Drain Current (IDM) Max | — | 11 A |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 11.8 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.35 V (typ) |
| Total Power Dissipation (PD) Max | — | 2 W |
| Lead-Free Status | — | Yes (PBF suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Channel Polarity | — | N-Channel (both) |