IRF9952TRPBF vs IRF7907TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF9952TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7907TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF9952TRPBF IRF7907TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity / Configuration Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array —
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 30 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) -30 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
N-Channel R_DS(on) max 0.10 ohm (at VGS = 10 V) —
P-Channel R_DS(on) max 0.25 ohm (at VGS = -10 V) —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench)
پیکیج 8-pin SOIC (SO-8), surface mount 8-SOIC (SO-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix) Compliant
Tape and Reel Packaging Yes (TRPBF suffix) —
Qualification Consumer market —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) Max — 9.1 A per channel at 25 C
Pulsed Drain Current (IDM) Max — 11 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 11.8 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V (typ)
Total Power Dissipation (PD) Max — 2 W
Lead-Free Status — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Channel Polarity — N-Channel (both)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں