IRF9952TRPBF vs IRF7907TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF9952TRPBF द्वारा Infineon और IRF7907TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF9952TRPBF | IRF7907TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity / Configuration | Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array | — |
| N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) | 30 V | — |
| P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) | -30 V | — |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 3.5 A | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A | — |
| N-Channel R_DS(on) max | 0.10 ohm (at VGS = 10 V) | — |
| P-Channel R_DS(on) max | 0.25 ohm (at VGS = -10 V) | — |
| Total Package Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Technology | IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET | IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench) |
| पैकेज | 8-pin SOIC (SO-8), surface mount | 8-SOIC (SO-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55 C to +150 C |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix) | Compliant |
| Tape and Reel Packaging | Yes (TRPBF suffix) | — |
| Qualification | Consumer market | — |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | — | 9.1 A per channel at 25 C |
| Pulsed Drain Current (IDM) Max | — | 11 A |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 11.8 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.35 V (typ) |
| Total Power Dissipation (PD) Max | — | 2 W |
| Lead-Free Status | — | Yes (PBF suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Channel Polarity | — | N-Channel (both) |