IRFB7545PBF vs IRFB4127PBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFB7545PBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFB4127PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFB7545PBF IRFB7545PBF - 60V 95A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB7545PBF - 60V 95A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB7545PBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFB4127PBF IRFB4127PBF - 200V, 76A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB4127PBF - 200V, 76A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB4127PBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFB7545PBF IRFB4127PBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB7545PBF IRFB4127PBF
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) TrenchFET Gen 6 (HEXFET)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A —
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +175C -55C to +175C
প্যাকেজ TO-220AB (Through-Hole) —
মাউন্টিং টাইপ Through Hole (THT) Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
MSL লেভেল N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 76 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max — 20 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 100 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc — 375 W
প্যাকেজ / কেস — TO-220AB (through-hole)
RoHS স্ট্যাটাস — Lead-Free (PBF suffix indicates RoHS compliance)
Configuration — Single

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট