IRFB7545PBF vs IRFB4127PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFB7545PBF توسط Infineon و IRFB4127PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFB7545PBF IRFB4127PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB7545PBF IRFB4127PBF
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) TrenchFET Gen 6 (HEXFET)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A —
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C -55C to +175C
بسته‌بندی TO-220AB (Through-Hole) —
نوع نصب Through Hole (THT) Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
سطح MSL N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 76 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max — 20 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 100 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc — 375 W
بسته‌بندی / کیس — TO-220AB (through-hole)
وضعیت RoHS — Lead-Free (PBF suffix indicates RoHS compliance)
Configuration — Single

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت