IRFB7545PBF vs IRFB4127PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB7545PBF tarafından Infineon ve IRFB4127PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFB7545PBF IRFB4127PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB7545PBF IRFB4127PBF
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) TrenchFET Gen 6 (HEXFET)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A —
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55C to +175C
Paket TO-220AB (Through-Hole) —
Montaj Türü Through Hole (THT) Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
MSL Seviyesi N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 76 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max — 20 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 100 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc — 375 W
Paket / Kas — TO-220AB (through-hole)
RoHS Durumu — Lead-Free (PBF suffix indicates RoHS compliance)
Configuration — Single

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin