IRFH8201TRPBF vs IRFH7084TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFH8201TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFH7084TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFH8201TRPBF IRFH8201TRPBF - 25V N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRFH8201TRPBF - 25V N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRFH8201TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFH8201TRPBF IRFH7084TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A —
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C -55°C to +175°C (TJ)
প্যাকেজ SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
হ্যালোজেন মুক্ত — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট