IRFH8201TRPBF vs IRFH7084TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH8201TRPBF tarafından Infineon ve IRFH7084TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH8201TRPBF IRFH7084TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET (trench MOSFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 324 A —
RDS(on) max at VGS=10V 0.95 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.35 V max —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC at VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 7.33 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 850 pF —
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 156 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C -55°C to +175°C (TJ)
Paket SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Klorürsüz — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin