IRFR1205TRPBF vs IRFR5410TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR1205TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR5410TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 44A | Infineon

IRFR1205TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF - -100V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR5410TRPBF - -100V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR5410TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR1205TRPBF IRFR5410TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (advanced process, Gen 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC —
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +175C —
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C — -13 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V — 205 mΩ
Total Gate Charge (Qg) typ — 70 nC
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C — 66 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 °C to +150 °C (TJ)
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions — VGS = -10 V, ID = -7.0 A

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট