IRFR1205TRPBF vs IRFR5410TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR1205TRPBF מאת Infineon ו IRFR5410TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFR1205TRPBF | IRFR5410TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | HEXFET (advanced process, Gen 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| מארז | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | — | -13 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | — | 205 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 70 nC |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | — | 66 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RDS(on) Test Conditions | — | VGS = -10 V, ID = -7.0 A |