IRFR2405TRPBF vs IRFR3806TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR2405TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR3806TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFR2405TRPBF | IRFR3806TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 56 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 16 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 70 nC | 22 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55C to +175C | — |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab | — |
| MSL লেভেল | 1 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Lead-Free PBF suffix) | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | Yes (HEXFET family) |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 43 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 15.8 mOhm at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | — | 71 W |
| প্যাকেজ / কেস | — | TO-252AA (DPAK) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 C to +175 C |
| Number of Units in IC | — | 1 |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix, lead-free) |