IRFR2405TRPBF vs IRFR3806TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR2405TRPBF توسط Infineon و IRFR3806TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR2405TRPBF IRFR3806TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 22 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
بدون هالوژن [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) Yes (HEXFET family)
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
بسته‌بندی / کیس — TO-252AA (DPAK)
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت