IRFR2405TRPBF vs IRFR3806TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR2405TRPBF tarafından Infineon ve IRFR3806TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR2405TRPBF IRFR3806TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 22 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
Klorürsüz [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) Yes (HEXFET family)
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Paket / Kas — TO-252AA (DPAK)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin