IRFR2405TRPBF vs IRFR3806TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR2405TRPBF מאת Infineon ו IRFR3806TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR2405TRPBF IRFR3806TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 22 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-252AA (DPAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
רמת MSL 1 —
סטטוס RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) —
נטול הלוגנים [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) Yes (HEXFET family)
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
מארז / Case — TO-252AA (DPAK)
טווח טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר