IRFR5305TRPBF vs IRF8736TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR5305TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF8736TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF - 30V 18A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRF8736TRPBF - 30V 18A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRF8736TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR5305TRPBF IRF8736TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C -55C to +150C (junction)
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK) SO-8 (8-SO, MS-012AA)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) StrongIRFET / HEXFET
MSL লেভেল 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C — 2.5 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 4.8 mOhm at VGS = 10V
Gate Charge (Qg) Typical — 17 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes (fully characterized avalanche voltage)
Configuration — Single
Packaging — Tape & Reel (TRPBF suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট