IRFR5305TRPBF vs IRF8736TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5305TRPBF tarafından Infineon ve IRF8736TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR5305TRPBF | IRF8736TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55C to +150C (junction) |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | SO-8 (8-SO, MS-012AA) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | StrongIRFET / HEXFET |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free PBF suffix) | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25C | — | 2.5 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 4.8 mOhm at VGS = 10V |
| Gate Charge (Qg) Typical | — | 17 nC |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully characterized avalanche voltage) |
| Configuration | — | Single |
| Packaging | — | Tape & Reel (TRPBF suffix) |