IRFR7540TRPBF vs IRFH5015TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR7540TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFH5015TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF - 60V 90A 4.8mΩ StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFR7540TRPBF - 60V 90A 4.8mΩ StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFR7540TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR7540TRPBF IRFH5015TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A (limited by TJmax) —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 140 W —
RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mΩ —
RDS(on) typical at 100µA VGS 3.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.7 V typical —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +175°C (TJ max) —
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK) Surface Mount 8-PQFN (5x6) SuperSO8
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55C to +150C (TJ max)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট