IRFR7540TRPBF vs IRFH5015TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFR7540TRPBF bằng Infineon và IRFH5015TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFR7540TRPBF | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | StrongIRFET™ (HEXFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 110 A (limited by TJmax) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 140 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.8 mΩ | — |
| RDS(on) typical at 100µA VGS | 3.7 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.7 V typical | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Hộp | TO-252AA (DPAK) Surface Mount | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C (TJ max) |