IRFR7540TRPBF vs IRFH5015TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR7540TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR7540TRPBF IRFH5015TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A (limited by TJmax) —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 140 W —
RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mΩ —
RDS(on) typical at 100µA VGS 3.7 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.7 V typical —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (TJ max) —
پیکیج TO-252AA (DPAK) Surface Mount 8-PQFN (5x6) SuperSO8
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (TJ max)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں