IRFS4227TRLPBF vs IPT022N10NF2SATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFS4227TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IPT022N10NF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IRFS4227TRLPBF - 200V 62A N-Channel HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon
IRFS4227TRLPBF ✓ সক্রিয়Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 - 100V 2.2mΩ StrongIRFET 2 N-MOSFET | Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFS4227TRLPBF | IPT022N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc = 25C | 62 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ Tc = 25C | 330 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS = 10V | 26 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 70 nC | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±30 V | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Case Connection | DRAIN | — |
| Technology | HEXFET, IR MOSFET | Trench MOSFET |
| প্যাকেজ | D2PAK (TO-263), surface mount | PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -40C to +150C (TJ) | -55C to +175C |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Key Application | PDP Sustain / Energy Recovery Switch | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | StrongIRFET 2 |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 236 A |
| Typical RDS(on) at VGS=10V | — | 2.2 mΩ |
| Power Dissipation at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 250 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |