IRFS4227TRLPBF vs IPT022N10NF2SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFS4227TRLPBF द्वारा Infineon और IPT022N10NF2SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 - 100V 2.2mΩ StrongIRFET 2 N-MOSFET | Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFS4227TRLPBF | IPT022N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc = 25C | 62 A | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) @ Tc = 25C | 330 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS = 10V | 26 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 70 nC | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±30 V | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Case Connection | DRAIN | — |
| Technology | HEXFET, IR MOSFET | Trench MOSFET |
| पैकेज | D2PAK (TO-263), surface mount | PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40C to +150C (TJ) | -55C to +175C |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Key Application | PDP Sustain / Energy Recovery Switch | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | StrongIRFET 2 |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 236 A |
| Typical RDS(on) at VGS=10V | — | 2.2 mΩ |
| Power Dissipation at Ta | — | 3.8 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 250 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |