IRLHS6242TRPBF vs IRLML6246TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLHS6242TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLML6246TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF - 20V N-CH HEXFET MOSFET, 11.7mΩ | Infineon

IRLHS6242TRPBF - 20V N-CH HEXFET MOSFET, 11.7mΩ | Infineon

IRLHS6242TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRLHS6242TRPBF IRLML6246TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ 46 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
প্যাকেজ 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad SOT-23 (Micro3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable —
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLML6246TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes
MSL লেভেল — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট