IRLHS6242TRPBF vs IRLML6246TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLHS6242TRPBF द्वारा Infineon और IRLML6246TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF - 20V N-CH HEXFET MOSFET, 11.7mΩ | Infineon

IRLHS6242TRPBF - 20V N-CH HEXFET MOSFET, 11.7mΩ | Infineon

IRLHS6242TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLHS6242TRPBF IRLML6246TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ 46 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
पैकेज 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad SOT-23 (Micro3)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable —
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLML6246TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
हैलोजन फ्री — Yes
MSL स्तर — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध