IRLHS6242TRPBF vs IRLML6246TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLHS6242TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML6246TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF - 20V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6246TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLHS6242TRPBF IRLML6246TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ 46 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
پیکیج 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad SOT-23 (Micro3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable —
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLML6246TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
ہیلوجن فری — Yes
MSL لیول — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں