IRLHS6242TRPBF vs IRLML6246TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLHS6242TRPBF bằng Infineon và IRLML6246TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLHS6242TRPBF | IRLML6246TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (trench MOSFET) | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±12 V | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 12 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 11.7 mΩ | 46 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | 14 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 1.98 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 9.6 W | — |
| Hộp | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad | SOT-23 (Micro3) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C | — |
| Gate Drive Level | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLML6246TRPBF |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 4.1 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.1 V (logic-level) |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 1.3 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C (junction) |
| RoHS Compliance | — | Yes (Pb-free) |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| Cấp MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |