IRLHS6242TRPBF vs IRLML6246TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLHS6242TRPBF tarafından Infineon ve IRLML6246TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLHS6242TRPBF IRLML6246TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ 46 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
Paket 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad SOT-23 (Micro3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable —
Qualification JEDEC standard —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLML6246TRPBF
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Klorürsüz — Yes
MSL Seviyesi — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin