IRLR3110ZTRPBF vs IRFR4615TRLPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLR3110ZTRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR4615TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3110ZTRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRLR3110ZTRPBF IRFR4615TRLPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A 33 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V 14 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC 26 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W 144 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +175C —
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET / Trench MOSFET IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
MSL লেভেল 1 (Unlimited) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Lead-Free Plating Yes (PBF suffix) —
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
সিঙ্গেল পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি — 109 mJ

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট