IRLR3110ZTRPBF vs IRFR4615TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR3110ZTRPBF tarafından Infineon ve IRFR4615TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR3110ZTRPBF IRFR4615TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A 33 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V 14 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC 26 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W 144 W
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET / Trench MOSFET IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
MSL Seviyesi 1 (Unlimited) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Plating Yes (PBF suffix) —
Klorürsüz Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi — 109 mJ

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin