IRLR7843TRPBF vs IRLR3114ZTRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLR7843TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRLR3114ZTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF - 40V, 130A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3114ZTRPBF - 40V, 130A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3114ZTRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRLR7843TRPBF IRLR3114ZTRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 161 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 4.5 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 34 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Avalanche Energy (Eas) Fully characterized —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +175C —
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 130 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V (typ)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 C to +175 C
পিনের সংখ্যা — 3 (2 + tab)
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট